ТАБЛИЦА К ПУНКТУ 2.5.3.6. ТЕХНИЧЕСКИЕ ПРИЕМЫ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ

- 5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;
- 5.5.3. Состав газа-реагента;
- 5.5.4. Напряжение смещения;
- 5.5.5. Температура - время - давление циклов;
- 5.5.6. Мощность триода;
- 5.5.7. Управление деталью (подложкой);
- 5.6. Для ионной имплантации:
- 5.6.1. Управление пучком и подложкой;
- 5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;
- 5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
- 5.6.4. Температура - время - давление циклов;
- 5.7. Для ионного осаждения:
- 5.7.1. Управление пучком и подложкой;
- 5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;
- 5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
- 5.7.4. Температура - время - давление циклов;
- 5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала;
- 5.7.6. Температура подложки;
- 5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения.


Код ТН ВЭД

КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА

3.1. Системы, оборудование и
компоненты

Примечания:
1. Контрольный статус
оборудования и компонентов,
указанных в пункте 3.1, других,
нежели указанных в пунктах
3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте
3.1.1.1.11, и которые специально
разработаны или имеют те же самые
функциональные характеристики, как
и другое оборудование,
определяется по контрольному
статусу такого оборудования
2. Контрольный статус интегральных
схем, указанных в пунктах
3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте
3.1.1.1.11, которые являются
неизменно запрограммированными или
разработанными для выполнения
функций другого оборудования,
определяется по контрольному
статусу такого оборудования

Особое примечание.
В тех случаях, когда изготовитель
или заявитель не может определить
контрольный статус другого
оборудования, этот статус
определяется контрольным статусом
интегральных схем, указанных в
пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или
пункте 3.1.1.1.11. Если
интегральная схема является
кремниевой микросхемой микроЭВМ
или микросхемой микроконтроллера,
указанными в пункте 3.1.1.1.3 и
имеющими длину слова операнда
(данных) 8 бит или менее, то ее
статус контроля должен
определяться в соответствии с
пунктом 3.1.1.1.3

3.1.1. Электронные компоненты:

3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные
микросхемы общего назначения:

3.1.1.1.1. Интегральные схемы, 8542
спроектированные или относящиеся к
классу радиационно стойких,
выдерживающие любое из следующих
воздействий:
3
а) суммарную дозу 5 x 10 Гр
5
- (Si) [5 x 10 рад] или выше;
- 6
б) мощность дозы 5 x 10 Гр
8
- (Si)/c [5 x 10 рад/с] или выше;
- или
в) флюенс (интегральный поток)
нейтронов (соответствующий энергии
13
в 1 МэВ) 5 x 10 н/кв. см или
более по кремнию или его
эквивалент для других материалов

Примечание.
Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не
применяется к структуре металл -
диэлектрик - полупроводник (МДП-
- структуре);

- 3.1.1.1.2. Микросхемы микропроцессоров, 8542
микросхемы микроЭВМ, микросхемы
микроконтроллеров, изготовленные
из полупроводниковых соединений
интегральные схемы памяти,
аналого-цифровые преобразователи,
цифроаналоговые преобразователи,
электронно-оптические или
оптические интегральные схемы для
обработки сигналов,
программируемые пользователем
логические устройства,
интегральные схемы для нейронных
сетей, заказные интегральные
схемы, функции которых неизвестны
или не известно, распространяется
ли статус контроля на аппаратуру,
в которой будут использоваться эти
интегральные схемы, процессоры
быстрого преобразования Фурье,
электрически перепрограммируемые
постоянные запоминающие
устройства (ЭППЗУ), память с
групповой перезаписью или
статические запоминающие
устройства с произвольной выборкой
(СЗУПВ), имеющие любую из
следующих характеристик:
а) работоспособные при температуре
окружающей среды выше 398 К (+125
- град. C);
- б) работоспособные при температуре
окружающей среды ниже 218 К (-55
град. C); или
в) работоспособные во всем
диапазоне температур окружающей
среды от 218 К (-55 град. C) до
398 К (+125 град. C)

Примечание.
Пункт 3.1.1.1.2 не
распространяется на интегральные
схемы, применяемые для гражданских
автомобилей и железнодорожных
- поездов;

- 3.1.1.1.3. Микросхемы микропроцессоров,
микросхемы микроЭВМ, микросхемы
микроконтроллеров, имеющие любую
из следующих характеристик:

- 3.1.1.1.3.1. Изготовлены на полупроводниковых 8542 31 900 1;
- соединениях и работающие на 8542 31 900 9;
- тактовой частоте, превышающей 40 8542 39 900 9
МГц; или

- 3.1.1.1.3.2. Более трех шин данных или команд 8542 31 900 1;
- либо последовательных портов 8542 31 900 9;
- связи, обеспечивающих в 8542 39 900 9
отдельности прямое внешнее
соединение между параллельными
микросхемами микропроцессоров
со скоростью передачи
1000 Мбайт/с или более

Примечание.
Пункт 3.1.1.1.3 включает
процессоры цифровых сигналов,
цифровые матричные процессоры и
- цифровые сопроцессоры;

- 3.1.1.1.4. Интегральные схемы памяти, 8542 31 900 1;
- изготовленные на полупроводниковых 8542 31 900 9;
- соединениях; 8542 39 900 9

- 3.1.1.1.5. Следующие интегральные схемы для 8542 31 900 3;
- аналого-цифровых и цифроаналоговых 8542 31 900 9;
- преобразователей: 8542 39 900 5;
- а) аналого-цифровые 8542 39 900 9
преобразователи, имеющие любую
из следующих характеристик:
разрешающую способность 8 бит или
более, но менее 10 бит, со
скоростью на выходе более 500 млн.
- слов в секунду;
- разрешающую способность 10 бит или
более, но менее 12 бит, со


Страницы: 17 из 93  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->