ТАБЛИЦА К ПУНКТУ 2.5.3.6. ТЕХНИЧЕСКИЕ ПРИЕМЫ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ
(О контроле за экспортом товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники. Приказ ГТК РФ от 26.07.2004 № 796)Вывоз (экспорт) товаров. Таможенное дело
2 2
- (Вт x ГГц ) / (ГГц) ];
- относительную ширину полосы частот
- 5% или более;
- любые две взаимно перпендикулярные
стороны с длиной d (см), равной
или меньше, чем результат от
деления величины 15 (см x ГГц) на
наименьшую рабочую частоту f
(ГГц), то есть: d <= 15/f или в
единицах размерности
[(см) <= (см x ГГц) / (ГГц)]
Особое примечание.
Для оценки ММИС усилителей
мощности должны применяться
критерии, описанные в пункте
3.1.1.2.2
Примечания:
1. По пункту 3.1.1.2.4 не
контролируется радиопередающее
спутниковое оборудование,
разработанное или предназначенное
для работы в полосе частот от
40,5 ГГц до 42,5 ГГц
2. Контрольный статус изделия,
рабочая частота которого
охватывает более одной полосы
частот, указанной в пункте
3.1.1.2.4, определяется наименьшим
контрольным порогом средней
- выходной мощности;
- 3.1.1.2.5. Полосовые или заградительные 8543 70 900 9
фильтры с электронной или
магнитной перестройкой, содержащие
более пяти настраиваемых
резонаторов, обеспечивающих
настройку в полосе частот с
соотношением максимальной и
минимальной частот 1,5:1 (f /
max
f ) менее чем за 10 мкс, и
min
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) полосу пропускания частоты
- более 0,5% от резонансной частоты;
- или
б) полосу подавления частоты менее
- 0,5% от резонансной частоты;
- 3.1.1.2.6. Смесители и преобразователи, 8543 70 900 9
разработанные для расширения
частотного диапазона аппаратуры,
указанной в пункте 3.1.2.3,
- 3.1.2.5 или 3.1.2.6;
- 3.1.1.2.7. Микроволновые усилители мощности 8543 70 900 9
СВЧ-диапазона, содержащие лампы,
контролируемые по пункту 3.1.1.2,
и имеющие все следующие
характеристики:
- а) рабочие частоты выше 3 ГГц;
- б) плотность средней выходной
мощности, превышающую 80 Вт/кг; и
в) объем менее 400 куб. см
Примечание.
По пункту 3.1.1.2.7 не
контролируется аппаратура,
спроектированная для работы в
любом диапазоне частот,
распределенном Международным
союзом электросвязи для
обслуживания радиосвязи, но не для
- радиоопределения;
- 3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и
специально разработанные для них
компоненты:
3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных 8541 60 000 0
акустических волнах и на
акустических волнах в тонком
поверхностном слое (то есть
приборы для обработки сигналов,
использующие упругие волны в
материале), имеющие любую из
следующих характеристик:
- а) несущую частоту выше 2,5 ГГц;
- б) несущую частоту выше 1 ГГц, но
не превышающую 2,5 ГГц, и
дополнительно имеющие любую из
следующих характеристик:
частотное подавление боковых
лепестков диаграммы направленности
- более 55 дБ;
- произведение максимального времени
задержки (в мкс) на ширину полосы
- частот (в МГц) более 100;
- ширину полосы частот выше 250 МГц;
- или
дисперсионную задержку более 10
мкс; или
в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и
дополнительно имеющие любую из
следующих характеристик:
произведение максимального времени
задержки (в мкс) на ширину полосы
- частот (в МГц) более 100;
- дисперсионную задержку более 10
мкс; или
частотное подавление боковых
лепестков диаграммы направленности
более 55 дБ и ширину полосы
- частот, превышающую 50 МГц;
- 3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических 8541 60 000 0
волнах (то есть приборы для
обработки сигналов, использующие
упругие волны в материале),
обеспечивающие непосредственную
обработку сигналов на частотах,
- превышающих 1 ГГц;
- 3.1.1.3.3. Акустооптические приборы обработки 8541 60 000 0
сигналов, использующие
взаимодействие между акустическими
волнами (объемными или
поверхностными) и световыми
волнами, что позволяет
непосредственно обрабатывать
сигналы или изображения, включая
анализ спектра, корреляцию или
- свертку;
- 3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, 8540;
- содержащие компоненты, 8541;
- изготовленные из сверхпроводящих 8542;
- материалов, специально 8543
спроектированные для работы при
температурах ниже критической
температуры хотя бы одной из
сверхпроводящих составляющих,
имеющие хотя бы один из следующих
признаков:
а) токовые переключатели для
цифровых схем, использующие
сверхпроводящие вентили, у которых
произведение времени задержки на
вентиль (в секундах) на
рассеиваемую мощность на вентиль
-14
(в ваттах) менее 10 Дж; или
б) селекцию частоты на всех
частотах с использованием
резонансных контуров с
- добротностью, превышающей 10 000;
- 3.1.1.5. Нижеперечисленные мощные
энергетические устройства:
3.1.1.5.1. Батареи и сборки фотоэлектрических
элементов:
- 3.1.1.5.1.1. Первичные элементы и батареи с 8506;
- плотностью энергии, превышающей 8507;
- 480 Вт.ч/кг, и пригодные для 8541 40 900 0
работы в диапазоне температур от
ниже 243 К (-30 град. C) до выше
- 343 К (70 град. C);
- 3.1.1.5.1.2. Подзаряжаемые элементы и батареи с 8506;
- плотностью энергии более 150 8507;
- Вт.ч/кг после 75 циклов 8541 40 900 0
заряд-разряда при токе разряда,
равном С/5 (С - номинальная
емкость в ампер-часах, 5 - время
разряда в часах), при работе в
диапазоне температур от ниже 253 К
(-20 град. C) до выше 333 К
Техническое примечание.
Плотность энергии определяется
путем умножения средней мощности в
ваттах (произведение среднего
напряжения в вольтах на средний
ток в амперах) на длительность
Страницы: 20 из 93 <-- предыдущая cодержание следующая -->