ТАБЛИЦА К ПУНКТУ 2.5.3.6. ТЕХНИЧЕСКИЕ ПРИЕМЫ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ

- или более;

- 3.2.1.1.2. Установки (реакторы) для 8486 20 900 9
химического осаждения из паровой
фазы металлоорганических
соединений, специально
разработанные для выращивания
кристаллов полупроводниковых
соединений с использованием
материалов, контролируемых по
пункту 3.3.3 или 3.3.4, в качестве
исходных

Особое примечание.
В отношении оборудования,
указанного в пункте 3.2.1.1.2, см.
- также пункт 3.2.1 раздела 2;

- 3.2.1.1.3. Оборудование для 8486 10 000 9
молекулярно-эпитаксиального
выращивания с использованием
газообразных или твердых
- источников;

- 3.2.1.2. Оборудование, предназначенное для 8486 20 900 9
ионной имплантации, имеющее любую
из следующих характеристик:
а) энергию пучка (ускоряющее
- напряжение) более 1 МэВ;
- б) специально спроектированное и
оптимизированное для работы с
энергией пучка (ускоряющим
- напряжением) менее 2 кэВ;
- в) имеет возможность
непосредственного формирования
рисунка; или
г) энергию пучка 65 кэВ или более
и силу тока пучка 45 мА или более
для высокоэнергетической
имплантации кислорода в нагретую
подложку полупроводникового
- материала;

- 3.2.1.3. Оборудование для сухого
анизотропного плазменного
травления:

- 3.2.1.3.1. Оборудование с подачей заготовок 8486 20 900 2;
- из кассеты в кассету и шлюзовой 8456 90 000 0
загрузкой, имеющее любую из
следующих характеристик:
а) разработанное или
оптимизированное для производства
структур с критическим размером
180 нм или менее и погрешностью
(3 сигма), равной +/- 5%; или
б) разработанное для обеспечения
чистоты лучше 0,04 частицы на
кв. см, при этом измеряемый размер
- частицы более 0,1 мкм в диаметре;

- 3.2.1.3.2. Оборудование, специально 8486 20 900 2;
- спроектированное для систем, 8456 90 000 0
контролируемых по пункту 3.2.1.5,
и имеющее любую из следующих
характеристик:
а) разработанное или
оптимизированное для производства
структур с критическим размером
180 нм или менее и погрешностью
(3 сигма), равной +/- 5%; или
б) разработанное для обеспечения
чистоты лучше 0,04 частицы на
кв. см, при этом измеряемый размер
- частицы более 0,1 мкм в диаметре;

- 3.2.1.4. Оборудование химического осаждения 8486 20 900 9;
- из паровой фазы с применением 8419 89 300 0
плазменного разряда, ускоряющего
процесс:

3.2.1.4.1. Оборудование с подачей заготовок
из кассеты в кассету и шлюзовой
загрузкой, разработанное в
соответствии с техническими
условиями производителя
или оптимизированное для
использования в производстве
полупроводниковых устройств с
критическим размером 180 нм
- или менее;

- 3.2.1.4.2. Оборудование, специально
спроектированное для систем,
контролируемых по пункту 3.2.1.5,
и разработанное в соответствии с
техническими условиями
производителя или оптимизированное
для использования в производстве
полупроводниковых устройств с
критическим размером 180 нм
- или менее;

- 3.2.1.5. Автоматически загружаемые 8456 10 00;
- многокамерные системы с 8486 20 900 2;
- центральной загрузкой 8456 90 000 0;
- полупроводниковых пластин 8486 20 900 3;
- (подложек), имеющие все следующие 8479 50 000 0
характеристики:
а) интерфейсы для загрузки и
выгрузки пластин (подложек), к
которым присоединяется более двух
единиц оборудования для обработки
полупроводников; и
б) предназначенные для
интегрированной системы
последовательной многопозиционной
обработки пластин (подложек) в
вакууме

Примечание.
По пункту 3.2.1.5 не
контролируются автоматические
робототехнические системы
управления загрузкой пластин
(подложек), не предназначенные для
- работы в вакууме;

- 3.2.1.6. Оборудование для литографии:

3.2.1.6.1. Оборудование для обработки пластин 8443 39 290 0
с использованием методов
оптической или рентгеновской
литографии с пошаговым совмещением
и экспозицией (непосредственно на
пластине) или сканированием
(сканер), имеющее любое из
следующего:
а) источник света с длиной волны
короче 245 нм; или
б) возможность формирования
рисунка с минимальным разрешаемым
размером элемента 180 нм и менее

Техническое примечание.
Минимальный разрешаемый размер
элемента (МРР) рассчитывается по
следующей формуле:
МРР = (длина волны источника света
в нанометрах) x (К фактор) /
(числовая апертура),
- где К фактор = 0,45;

- 3.2.1.6.2. Оборудование, специально 8456 10 00;
- разработанное для изготовления 8486 20 900 3;
- шаблонов или производства 8486 40 000 1
полупроводниковых приборов с
использованием отклоняемого
сфокусированного электронного,
ионного или лазерного пучка,
имеющее любую из следующих
характеристик:
- а) размер пятна менее 0,2 мкм;
- б) возможность формирования
рисунка с размером элементов менее
1 мкм; или
в) точность совмещения слоев лучше
- +/- 0,20 мкм (3 сигма);

- 3.2.1.7. Маски и промежуточные шаблоны, 8486 90 900 3
разработанные для производства
интегральных схем, контролируемых
- по пункту 3.1.1;

- 3.2.1.8. Многослойные шаблоны с 8486 90 900 3
фазосдвигающим слоем

Примечание.
По пункту 3.2.1.8 не
контролируются многослойные
шаблоны с фазосдвигающим
слоем, разработанные для
изготовления запоминающих
устройств, не контролируемых по
пункту 3.1.1

3.2.2. Оборудование, специально
разработанное для испытания
готовых или находящихся в разной
степени изготовления
полупроводниковых приборов, и


Страницы: 23 из 93  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->