ТАБЛИЦА К ПУНКТУ 2.5.3.6. ТЕХНИЧЕСКИЕ ПРИЕМЫ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ

специально разработанные для этого
компоненты и приспособления:

3.2.2.1. Для измерения S-параметров 9031 80 380 0
транзисторных приборов на частотах
- выше 31,8 ГГц;

- 3.2.2.2. Для испытания микроволновых 9030;
- интегральных схем, контролируемых 9031 20 000 0;
- по пункту 3.1.1.2.2 9031 80 380 0

3.3. Материалы

3.3.1. Гетероэпитаксиальные структуры
(материалы), состоящие из подложки
с несколькими последовательно
наращенными эпитаксиальными слоями
любого из следующих материалов:

- 3.3.1.1. Кремний; 3818 00 100 0;
- 3818 00 900 0

3.3.1.2. Германий; 3818 00 900 0

3.3.1.3. Карбид кремния; или 3818 00 900 0

3.3.1.4. Соединения III/V на основе галлия 3818 00 900 0
или индия

Техническое примечание.
Соединения III/V - это либо
поликристаллические, либо бинарные
или многокомпонентные
монокристаллические продукты,
состоящие из элементов групп IIIA
и VA (по отечественной
классификации это группы A3 и B5)
Периодической системы Менделеева
(например, арсенид галлия,
алюмоарсенид галлия, фосфид индия
и тому подобное)

3.3.2. Материалы резистов, а также
подложки, покрытые контролируемыми
резистами:

3.3.2.1. Позитивные резисты, 3824 90 980 9
предназначенные для
полупроводниковой литографии,
специально приспособленные
(оптимизированные) для
использования на длине волны менее
- 350 нм;


- 3.3.2.2. Все резисты, предназначенные для 3824 90 980 9
использования при экспонировании
электронными или ионными пучками,
с чувствительностью 0,01
- мкКл/кв. мм или лучше;


- 3.3.2.3. Все резисты, предназначенные для 3824 90 980 9
использования при экспонировании
рентгеновскими лучами, с
чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм
- или лучше;


- 3.3.2.4. Все резисты, оптимизированные под 3824 90 980 9
технологии формирования рисунка,
включая силилированные резисты


Техническое примечание.
Технология силилирования - это
процесс, включающий окисление
поверхности резиста, для повышения
качества мокрого и сухого
проявления

3.3.3. Следующие органо-неорганические
соединения:

3.3.3.1. Металлоорганические соединения 2931 00 950 0
алюминия, галлия или индия с
чистотой металлической основы
- более 99,999%;

- 3.3.3.2. Органические соединения мышьяка, 2931 00 950 0
сурьмы и фосфорорганические
соединения с чистотой основы
неорганического элемента более
99,999%

Примечание.
По пункту 3.3.3 контролируются
только соединения, металлический,
частично металлический или
неметаллический элемент в которых
непосредственно связан с углеродом
органической части молекулы

- 3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или 2848 00 000 0;
- сурьмы, имеющие чистоту более 2850 00 200 0
99,999%, даже будучи растворенными
в инертных газах или водороде

Примечание.
По пункту 3.3.4 не
контролируются гидриды, содержащие
20% и более молей инертных газов
или водорода

3.4. Программное обеспечение

3.4.1. Программное обеспечение,
специально разработанное для
разработки или производства
оборудования, контролируемого по
пунктам 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по
пункту 3.2

3.4.2. Программное обеспечение,
специально разработанное для
применения в любом нижеследующем
оборудовании:
а) контролируемом по пунктам
3.2.1.1 - 3.2.1.6; или
б) контролируемом по пункту 3.2.2

3.4.3. Физически обоснованное программное
обеспечение моделирования,
специально разработанное для
разработки процессов литографии,
травления или осаждения с целью
воплощения маскирующих шаблонов
в конкретные топографические
рисунки на проводниках,
диэлектриках или полупроводниках

Техническое примечание.
Под термином "физически
обоснованное" в пункте 3.4.3
понимается использование
вычислений для определения
последовательности физических
факторов и результатов
воздействия, основанных на
физических свойствах (например,
температура, давление, коэффициент
диффузии и полупроводниковые
свойства материалов)

Примечание.
Библиотеки, проектные атрибуты или
сопутствующие данные для
проектирования полупроводниковых
приборов или интегральных схем
рассматриваются как технология

3.4.4. Программное обеспечение,
специально разработанное для
разработки оборудования,
контролируемого по пункту 3.1.3

3.5. Технология

3.5.1. Технологии в соответствии с общим
технологическим примечанием к
настоящему Списку для разработки
или производства оборудования или
материалов, контролируемых по
пункту 3.1, 3.2 или 3.3

Примечание.
По пункту 3.5.1 не контролируются
технологии для производства
оборудования или компонентов,
контролируемых по пункту 3.1.3

3.5.2. Технологии в соответствии с общим
технологическим примечанием к
настоящему Списку другие, чем те,
которые контролируются по пункту
3.5.1, для разработки или
производства микросхем
микропроцессоров, микросхем
микрокомпьютеров и микросхем
микроконтроллеров, имеющих
совокупную теоретическую


Страницы: 24 из 93  <-- предыдущая  cодержание   следующая -->